[发明专利]3D磁传感器的形成方法有效
| 申请号： | 201310314998.8 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103400934A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚裴;张振兴;王健鹏;时廷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种3D磁传感器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层中的沟槽；形成磁性材料层，磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽底部和侧壁，在磁性材料层上形成TaN层，在TaN层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成填充材料层，填充材料层填充沟槽；在填充材料层上形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀填充材料层；以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层之前或之后，刻蚀磁性材料层形成磁阻层。本发明的刻蚀阻挡层阻挡刻蚀所述填充材料层过程中的等离子体对TaN层的轰击，保证3D磁传感器性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种3D磁传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽的深度小于所述绝缘层的厚度；形成磁性材料层，所述磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在所述磁性材料层上形成TaN层，在所述TaN层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成填充材料层，所述填充材料层填充沟槽；在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀所述填充材料层；以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层之前或之后，刻蚀所述磁性材料层形成磁阻层。
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