[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法

摘要

一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法，器件设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于电荷存储层和金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层之间，其制备方法是在常规金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺中增加电荷存储层制备工序。电荷存储层为三氧化钼薄膜层、三氧化钨薄膜层、氧化镍薄膜层、C60薄膜层或PCBM薄膜层等。电荷存储层通过旋涂法、真空热蒸发法、磁控溅射法、原子层沉积法或者丝网印刷法中的任意一种方式成膜制备而成。本发明的金属氧化物薄膜晶体管存储器件具有电荷保留时间长、重复性高、读写时间短、密度高的特点，其制作工艺简单、成本低，工艺兼容性高。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件，其特征在于：设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于所述电荷存储层和金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层之间。