[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310315277.9 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347409B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 何其暘;张翼英;童浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供半导体衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层内形成底部宽度大于顶部宽度的通孔，所述通孔暴露出半导体衬底的部分表面；在所述通孔内形成填充满所述通孔的鳍部，所述鳍部的表面与介质层的表面齐平；刻蚀所述介质层，使所述被刻蚀后的介质层表面低于所述鳍部的顶部表面。所述半导体结构的形成方法可以提高形成的鳍部质量，从而提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层内形成底部宽度大于顶部宽度的通孔，所述通孔暴露出半导体衬底的部分表面；在所述通孔内形成填充满所述通孔的鳍部，所述鳍部的表面与介质层的表面齐平；刻蚀所述介质层，使所述被刻蚀后的介质层表面低于所述鳍部的顶部表面；所述介质层的湿法刻蚀速率沿垂直方向，从半导体衬底表面至介质层表面逐渐降低；形成所述通孔的方法包括：采用干法刻蚀，以所述半导体衬底为刻蚀停止层，在介质层内形成第一开口；采用湿法刻蚀工艺，对第一开口的侧壁进行刻蚀，形成通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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