[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管在审
| 申请号： | 201310315605.5 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103730499A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，其沟槽深度大于或者等于位于有源区的体区的结深。该沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括至少一个沟道阻止沟槽栅，其围绕在所述的悬浮的沟槽栅的外围并连接到至少一个延伸入切割道的切割沟槽栅，以防止在漏区和源区间形成漏电通道。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的版图结构，由双芯片结构组成，每个双芯片结构包括一个沟槽式金属氧化物半导体场效应管，进一步包括：有源区；多个悬浮的沟槽栅，平行地形成于终端区，且围绕有源区的外围；至少一个沟道阻止沟槽栅，位于所述终端区且围绕所述多个悬浮的沟槽栅的外围，每个所述的沟道阻止沟槽栅都连接至至少一个切割沟槽栅，每个所述的切割沟槽栅都延伸穿过所述双芯片之间的空间并连接至所述的沟道阻止沟槽栅。
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