[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺无效
| 申请号： | 201310315978.2 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103397386A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 吕云安;李玉萍;李磊 | 申请（专利权）人： | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 吕振安 |
| 地址： | 453000 河南省新乡市南环*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内，然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中，最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 型低阻砷化镓单晶 生长 掺杂 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，其特征在于：将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内，然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中，最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。
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