[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310316249.9 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103715242B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 小谷淳二;石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，该半导体装置包括衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的第一半导体层；和形成在所述第一半导体层上的第二半导体层，其中所述缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，其中所述缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，以及其中，当所述多个层中的第一层比所述多个层中的第二层更靠近所述衬底并且所述第二层比所述第一层更靠近所述第一半导体层时，所述第一层的Al组成比大于所述第二层的Al组成比，并且所述第一层的Fe浓度小于所述第二层的Fe浓度；所述第一半导体层为电子传输层，所述第二半导体层为电子供给层。
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