[发明专利]一种高出光效率的发光二极管芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 201310316448.X | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367580A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈静;康建;郑远志;陈向东;李晓莹 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高出光效率的发光二极管芯片，包括在衬底上依次设置的N型半导体层、有源层、P型半导体层、电流扩展层以及绝缘覆盖层，其中，电流扩散层的折射率值处于在P型半导体层与绝缘覆盖层两者的折射率值之间，并且沿着垂直于电流扩散层表面的方向上梯度分布，使电流扩散层与绝缘覆盖层的界面，以及电流扩散层与P型半导体层的界面处的折射率差降低，从而减轻界面处的全反射。本发明优点在于：通过形成一层折射率梯度变化的电流扩展层减少全反射的发生，获得更多的出光，从而提高了芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高出光 效率 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高出光效率的发光二极管芯片，包括在衬底上依次设置的N型半导体层、有源层、P型半导体层、电流扩展层以及绝缘覆盖层，其特征在于，所述电流扩散层的折射率值处于在P型半导体层与绝缘覆盖层两者的折射率值之间，并且沿着垂直于电流扩散层表面的方向上梯度分布，使电流扩散层与绝缘覆盖层的界面，以及电流扩散层与P型半导体层的界面处的折射率差降低，从而减轻界面处的全反射。
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