[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310316885.1 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103413834A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张文余;谢振宇;田宗民;李婧 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。解决了现有的薄膜晶体管受限于制作工艺，沟道长度大，薄膜晶体管的开态电流小的问题。一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层以及相互绝缘的第一电极和第二电极；其中，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一电极设置在所述有源层靠近基板的一侧，所述第二电极设置在所述有源层远离基板的一侧，且所述第一电极和所述第二电极与所述有源层接触；其中，所述栅极与所述第一电极同层设置，且所述栅极与所述第一电极绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层以及相互绝缘的第一电极和第二电极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一电极设置在所述有源层靠近基板的一侧，所述第二电极设置在所述有源层远离基板的一侧，且所述第一电极和所述第二电极与所述有源层接触；其中，所述栅极与所述第一电极同层设置，且所述栅极与所述第一电极绝缘。
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