[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310317077.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681822A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 金虎铉;许承培;宋承昱;朴廷桓;杨河龙;金仁洙 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;罗延红 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：第一外延层；集电极层，形成在第一外延层的一侧上；以及第二外延层，形成第一外延层的另一侧上，第一外延层具有比第二外延层的掺杂浓度高的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一外延层；集电极层，形成在第一外延层的一侧上；以及第二外延层，形成第一外延层的另一侧上，第一外延层具有比第二外延层的掺杂浓度高的掺杂浓度。
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