[发明专利]三维MoS2@MWNTs 纳米结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310317889.1 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104341006A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张庆锋;郁可;朱自强;宋长清 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维MoS2@MWNTs纳米结构，其包括均匀交叉在一起的MoS2和MWNTs，MWNTs表面上覆盖多层MoS2纳米层和MoS2纳米突起，形成三维MoS2@MWNTs纳米结构。本发明还提供了三维MoS2@MWNTs纳米结构的制备方法，利用水热法MoS2和MWNTs在多元醇协助下制备得到大面积的MoS2@MWNTs纳米半导体材料。本发明操作简单、成本低、重复性好、可实现规模生产，在光催化性能、电化学以及场发射研究领域中有极大应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 mos sub mwnts 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维MoS2@MWNTs纳米结构，其特征在于，其包括MoS2和MWNTs；所述MoS2和MWNTs均匀交叉；以所述MWNTs为骨架，在所述MWNTs表面上覆盖多层MoS2纳米层和MoS2纳米突起；形成三维MoS2@MWNTs纳米结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学，未经华东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310317889.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种工业含氨污水的预处理及热回收装置及方法
- 下一篇：一种氧化铝的提纯方法
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
