[发明专利]ESD保护有效
申请号: | 201310318437.5 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN103579224B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | A.科布扎鲁;A.芬尼;U.格拉泽;G.盖勒罗;B-E.马泰;M.马耶霍费尔;M.默根斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;刘春元 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了ESD保护。本公开的实施例涉及用于电子部件的两级保护装置,以保护防止瞬态干扰。瞬态干扰可以是电流或电压脉冲。瞬态干扰的示例是:静电放电(ESD)脉冲、与切换动作(接通和/或关断)相关的干扰。电子部件可以是半导体部件,并且可以包括一个或多个晶体管和/或集成电路。保护装置被连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部,并且被与要保护的部件基本上并联布置在第一接触部与第二接触部之间。保护装置包括具有至少一个二极管的至少一个第一级和通过至少一个电阻器与第一级分离的第二级。第二级包括至少一个二极管布置,所述至少一个二极管布置具有布置成阴极对阴极的至少两个背对背二极管。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 | ||
【主权项】:
一种用于电子部件的保护装置,用于防止瞬态干扰的保护,其中所述保护装置被电连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部,以及其中所述保护装置包括:‑‑ 第一级,其具有至少一个二极管,其中第一级被连接至至少一个端子;‑‑ 第二级,其通过至少一个电阻器与第一级分离,并且被直接连接至第一接触部和第二接触部,其中第二级是针对比第一级更小的电流而适配的,其中第二级具有包括两个背对背二极管的至少一个二极管布置,其中所述两个背对背二极管被布置成阴极对阴极,其中所述两个背对背二极管是布置成p‑n‑p配置的多晶硅二极管,以及其中所述两个背对背二极管包括第一p型区与第二p型区之间的浮动n型区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的