[发明专利]一种多层结构高阻隔薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310319310.5 | 申请日： | 2013-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103382549A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 黄尚鸿;陈强;李丽;吴常良;孟涛;曹海燕 | 申请（专利权）人： | 中国乐凯集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人： | 郭绍华;李羡民 |
| 地址： | 071054 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种多层结构高阻隔薄膜制作的制备方法，它包括以下步骤：a.在透明基材上用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层无机镀层；b.在1～80Pa真空状态下，利用具有刻蚀性能的气体放电形成等离子体对沉积的无机镀层进行刻蚀；c.在上述被刻蚀的无机镀层表面用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层无机镀层；重复上述步骤，得到多层结构高阻隔薄膜。本发明方法工艺简单，设备投入低，得到的高阻隔膜表面平整，阻隔效果好，可以应用于制作高档食品、药品包装材料，也可用于有机太阳能电池或有机电致发光元件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 结构 阻隔 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层结构高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：a.在透明基材上用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层无机镀层；b.在1～80Pa真空状态下，利用具有刻蚀性能的气体放电形成等离子体对沉积的无机镀层进行刻蚀；c.在上述被刻蚀的无机镀层表面用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层无机镀层；重复上述步骤，得到多层结构高阻隔薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
