[发明专利]用于高压半导体器件的拐角布局及其制备方法有效
| 申请号： | 201310319450.2 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103579301B | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 管灵鹏;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚，桑*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了一种用于高压半导体器件的拐角布局及其制备方法，使半导体器件的击穿电压达到最大。该器件包括条纹晶胞阵列的第一和第二子集。第一阵列中每个条纹晶胞的末端都与最近的端接器件结构保持一段统一的距离。在第二子集中，配置有源晶胞区的拐角附近条纹晶胞末端，通过将每个条纹晶胞末端都与最近的端接器件结构保持不一样的距离，使击穿电压达到最大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 半导体器件 拐角 布局 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包含：一个掺杂层；一个具有多个有源晶胞结构的有源晶胞区，具有的第一末端和第二末端，形成在掺杂层中，并排布在条纹晶胞阵列中；以及一个具有多个端接器件结构的端接区，形成在包围着有源晶胞区的掺杂层中，其中配置条纹晶胞的第一子集，通过使第一子集中每个条纹晶胞的末端都与最近的端接器件结构保持一段统一的距离，使半导体器件的击穿电压达到最大；并且其中配置有源晶胞区的拐角区域附近的条纹晶胞的第二子集，通过使第二子集中每个条纹晶胞的末端到距离最近的端接器件结构不一样远，使击穿电压达到最大；所述端接器件结构的排列呈同心环阵列；所述端接器件结构最里面的环阵列具有多个接杆，朝着有源晶胞区向内延伸，其中配置每个接杆和附近第二子集中的条纹晶胞之间的距离，使器件的击穿电压达到最大。
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