[发明专利]核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置无效

专利信息
申请号: 201310319733.7 申请日: 2013-07-26
公开(公告)号: CN103400606A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 杨寿海;潘跃龙;唐邵华;黄倩倩 申请(专利权)人: 中广核工程有限公司;中国广核集团有限公司
主分类号: G21C11/06 分类号: G21C11/06
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 王基才;王冬华
地址: 518023 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置,堆坑上腔在主管道层的主屏蔽体上开设有主管道开孔,主管道开孔在容主管道穿过后供检修人员进出,中子屏蔽装置包括设于主屏蔽体外、堆坑上腔主管道开孔出口处的中子屏蔽门,中子屏蔽门上开设有能容主管道穿过的穿孔。与现有技术相比,本发明核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置通过拓宽堆坑上腔主管道开孔并在主管道开孔出口处设置中间带孔的中子屏蔽门,取消了堆坑上腔专设人员进出通道,既降低了放射性泄露的概率,又降低了检修人员所受辐照;此外,与设于主管道开孔中的中子屏蔽体相比,本发明的中子屏蔽门具有加工制造成本低、开闭便捷等优点。
搜索关键词: 核电厂 堆坑上腔 主管 中子 屏蔽 装置
【主权项】:
一种核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置,所述堆坑上腔在主管道层的主屏蔽体上开设有主管道开孔,主管道开孔在容主管道穿过后供检修人员进出,其特征在于:所述中子屏蔽装置包括设于主屏蔽体外、堆坑上腔主管道开孔出口处的中子屏蔽门,中子屏蔽门上开设有能容主管道穿过的穿孔。
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