[发明专利]使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法有效
| 申请号： | 201310319903.1 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103569948B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | R·K·科特兰卡;R·库马尔;P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱;H·林;P·耶勒汉卡 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多孔 表面 用于 制作 堆栈 结构 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种用于接合半导体表面的方法，其包含：提供其表面具有第一接合区的第一衬底以及形成在该第一衬底上的阻挡层以界定该第一接合区，其中，该第一接合区包含为多孔化表面的第一接合表面；提供具备具有第二接合表面的第二接合区的第二衬底，其中，该第二接合表面由包含TSV接触的第二导电性接触的表面提供；对齐该第一接合区与该第二接合区；以及于高温通过施加压力接合该第二导电性接触至该第一接合区。
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