[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法。提供了可抑制由处理中的化学品导致的腐蚀、同时防止在标记上产生热应力的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：具有正面主表面和与正面主表面相反的背面主表面的半导体层；在半导体层中形成的用于执行光电转换的多个受光元件；设置在背面主表面之上的用于向受光元件供给光的受光透镜；和在半导体层内形成的标记。标记从正面主表面延伸到背面主表面。标记具有向着正面主表面而不是向着背面主表面凹陷的深部表面。深部表面由硅形成。

主权项

一种半导体装置，包括：半导体层，所述半导体层具有正面主表面和与正面主表面相反的背面主表面；多个受光元件，所述多个受光元件在所述半导体层中形成，用于执行光电转换；受光透镜，所述受光透镜设置在所述半导体层的所述背面主表面之上并向受光元件供给光；以及标记，所述标记在所述半导体层内形成，其中，所述标记从所述正面主表面延伸到所述背面主表面，其中，所述标记具有向着所述正面主表面而不是向着所述背面主表面凹陷的深部表面，并且，其中，所述深部表面由硅形成。