[发明专利]横向半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及横向半导体器件及其制造方法，提供了一种方法来制造半导体器件，该半导体器件包括半导体主体、其上的电极和将电极与半导体主体绝缘的绝缘结构。该半导体主体包括第一导电型的第一接触区、第二导电型的主体区、第一导电型的漂移区和具有比漂移区更高的最大掺杂浓度的第二接触区。该绝缘结构包括与漂移区形成第一水平界面的栅极介电部分且具有第一最大垂直延伸部分。场介电部分与漂移区形成被设置在主表面之下的第二和第三水平界面。场介电部分的第二最大垂直延伸部分大于第一最大垂直延伸部分。场介电部分的第三最大垂直延伸部分大于第二最大垂直延伸部分。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体主体，具有主表面，所述主表面具有限定垂直方向的法线方向，所述半导体主体在垂直横截面内包括：第一导电型的第一接触区，其延伸到所述主表面；第二导电型的主体区，其与所述第一接触区邻接并延伸至所述主表面；第一导电型的漂移区，其与所述主体区邻接并延伸至所述主表面；以及第二接触区，其包括比所述漂移区更高的最大掺杂浓度并延伸至所述主表面；电极，被设置在所述主表面上；以及绝缘结构，其将所述电极与所述半导体主体绝缘且在所述垂直横截面内包括：栅极介电部分，其至少与所述漂移区形成第一水平界面且在所述第一水平界面与所述电极之间具有第一最大垂直延伸部分；以及场介电部分，其与所述漂移区形成在所述垂直方向上被设置在所述主表面之下的第二水平界面和第三水平界面，其中，在所述第二水平界面与所述电极之间的所述场介电部分的第二最大垂直延伸部分大于所述第一最大垂直延伸部分，且其中，在所述第三水平界面与所述电极之间的所述场介电部分的第三最大垂直延伸部分大于所述第二最大垂直延伸部分。