[发明专利]晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，根据电池背面局域接触参数的需求进行掩膜版设计；将制绒、扩散和去磷硅玻璃后的硅片放入载片舟中，在背表面上放置掩膜版；然后进行钝化膜沉积工艺；在硅片上表面镀减反膜并依次进行背表面和上表面的电极印刷和烧结工艺，最终得到完整的电池结构。本发明方法简单，不会对硅片造成损伤，不需要增加工艺流程，并且掩模版的重复使用也极大减少了工艺器具方面的成本投入。

主权项

一种晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，其特征在于包括下述步骤：A.根据电池背面局域接触参数的需求进行掩膜版设计，包括图型、线条的宽度及与硅片接触点的大小；B.将制绒、扩散和去磷硅玻璃后的硅片放入载片舟中，使硅片背表面为预备镀膜面，然后在背表面上放置掩膜版，通过载片舟上的定位点将掩膜版固定在硅片上面，使硅片与掩膜版之间形成紧密接触；C.进行钝化膜沉积工艺，所镀的钝化膜为内层二氧化硅、外层氮化硅的双层膜，或者是三氧化铝单层膜，或是内层三氧化铝、外层氮化硅的双层膜；D.将硅片取出，在硅片上表面镀减反膜并依次进行背表面和上表面的电极印刷和烧结工艺，最终得到完整的电池结构。