[发明专利]抗冲击硅基MEMS麦克风及其制造方法有效
| 申请号： | 201310320229.9 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103402163A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟锦 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗冲击硅基MEMS麦克风及其制造方法，所述麦克风包括：硅基底，在该硅基底中形成有背孔；振膜，该振膜支撑在所述硅基底上并设置在所述硅基底中的背孔的上方；穿孔背板，该穿孔背板设置在所述振膜的上方；空气间隙，该空气间隙形成在所述振膜和所述穿孔背板之间；以及限幅机构，该限幅机构形成在所述硅基底的背孔中，并支撑在所述背孔的侧壁上，在该限幅机构与所述振膜之间形成有预定间隔。所述麦克风通过限幅机构限制该麦克风中的振膜的振动幅度从而可以防止振膜在外部冲击下受到损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 冲击 mems 麦克风 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种抗冲击硅基MEMS麦克风，包括：硅基底，在该硅基底中形成有背孔；振膜，该振膜支撑在所述硅基底上并设置在所述硅基底中的背孔的上方；穿孔背板，该穿孔背板设置在所述振膜的上方；空气间隙，该空气间隙形成在所述振膜和所述穿孔背板之间；以及限幅机构，该限幅机构形成在所述硅基底的背孔中，并支撑在所述背孔的侧壁上，在该限幅机构与所述振膜之间形成有预定间隔。
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