[发明专利]移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置

摘要

本发明提供了一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置。所述移位寄存器单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管、第一电容、第二电容、起始信号输入端、第一时钟信号输入端、第二时钟信号输入端、第一低电平输出端、第二低电平输出端、驱动信号输出端、进位信号输出端和复位信号输出端。本发明可以解决耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器的影响。

主权项

一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管、第一电容、第二电容、起始信号输入端、第一时钟信号输入端、第二时钟信号输入端、第一低电平输出端、第二低电平输出端、驱动信号输出端、进位信号输出端和复位信号输出端，其中，所述第一薄膜晶体管，栅极与所述第一时钟信号输入端连接，第一极与所述第二薄膜晶体管的第二极连接，第二极与所述起始信号输入端连接；所述第二薄膜晶体管，栅极与所述第一时钟信号输入端连接，第一极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第三薄膜晶体管，栅极通过所述第一电容与所述第三薄膜晶体管的第一极连接，第二极与所述第二时钟信号输入端连接；所述第四薄膜晶体管，栅极通过所述第二电容与所述第二低电平输出端连接，第一极与所述第一低电平输出端连接，第二极与所述第三薄膜晶体管的第一极连接；所述第五薄膜晶体管，栅极与所述第一时钟信号输入端连接，第一极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第二极与所述第一时钟信号输入端连接；所述第六薄膜晶体管，栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述第一低电平输出端连接，第二极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接；所述第七薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述第八薄膜晶体管的第二极连接，第二极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第八薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第一极与第一低电平输出端连接；所述第九薄膜晶体管，栅极与所述进位信号输出端连接，第一极与所述驱动信号输出端连接，第二极分别与所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第七薄 膜晶体管的第一极连接；所述第十薄膜晶体管，栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述驱动信号输出端连接，第二极与所述第二时钟信号输入端连接；所述第十一薄膜晶体管，栅极与所述复位信号输出端连接，第一极与所述第二低电平输出端连接，第二极与所述驱动信号输出端连接；所述第十二薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述第二低电平输出端连接，第二极与所述驱动信号输出端连接。