[发明专利]多晶硅锭的制备方法无效
| 申请号： | 201310320649.7 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103397378A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 曾磊;李松松;张澎伟;闫英永 | 申请（专利权）人： | 山东大海新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257300 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用DSS法铸造多晶硅时向坩埚中装填硅料的方法，还涉及了一种高品质多晶硅锭的制备方法。该方法包括以下步骤：装填硅料时，在坩埚底部均匀铺满碎片料，在碎片料上放置还原多晶硅块料。在铸造多晶硅锭时，将装有硅料的坩埚加热，控制热场，使硅料逐渐熔化，当硅料熔化至坩埚底部碎片料区域时，停止加热，进入长晶阶段，长晶结束后退火冷却，得到高品质多晶硅锭。采用这种装填硅料的方法及多晶硅锭制备方法，可以有效降低多晶硅铸锭过程中长晶初始阶段形成的大量位错，可以有效减少枝晶的形成，提高多晶硅锭的少子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于:由以下步骤：（一）、在坩埚内壁喷涂Si3N4；（二）、在坩埚底部均匀铺设2‑3碎片硅料；（三）、按比例在碎片料上均匀装填还原多晶硅块料和循环料；（四）、在装料结束后，将坩埚装入铸锭炉中，抽真空，真空度达到要求后检漏，检漏通过后进入铸锭程序；（五）、铸锭炉加热装有硅料的坩埚，使硅料逐渐熔化，当硅料熔化至坩埚底部碎片料区域时，停止加热；（六）、控制热场，使硅熔体从硅片区域开始形核结晶；（七）、长晶结束后，退火冷却，得到多晶硅锭。
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