[发明专利]三元钨硼氮薄膜及其形成方法有效
| 申请号： | 201310320848.8 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103579184B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 雷威;高举文 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了三元钨硼氮（WBN）薄膜及其形成的相关的方法。该膜具有优良的热稳定性，可调谐的电阻率和对氧化物良好的粘附性。形成该膜的方法涉及热原子层沉积（ALD）工艺，在该工艺中含硼、含氮、含钨反应物循序地以脉冲形式进入反应室以沉积WBN膜。在一些实施方式中，所述工艺包括含硼、含氮、含钨反应物的脉冲的多个循环，每个循环包括多个含硼的脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 三元 钨硼氮 薄膜 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成三元钨硼氮膜的方法，其包括：执行循序地引入含硼反应物、含氮反应物和含钨反应物的脉冲进入容纳衬底的反应室的多个循环，从而在衬底上沉积三元钨硼氮膜，其中所述含硼反应物的脉冲数与含钨反应物的脉冲数之比至少为三，其中所述含硼反应物还原所述含钨反应物以形成钨并提供硼以形成所述三元钨硼氮膜。
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