[发明专利]半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310321062.8 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103456771A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张栋;黄国华;王明杰;吕国琦 | 申请（专利权）人： | 上海北车永电电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/32 | 分类号： | H01L29/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法。本发明中，该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构包括半导体衬底、绝缘介质层、和半导体外延层；该绝缘介质层位于半导体衬底和半导体外延层之间，且该绝缘介质层由多个岛状绝缘介质块组成，且岛状绝缘介质块的直径小于3μm；在半导体外延层与绝缘介质层的交界面处具有因晶格不匹配而形成的缺陷。该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构的生产涉及的设备和工艺都是传统半导体生产工程中常用的技术，与统的半导体生产线兼容性更好，容易在半导体生产线上实施，具有更低的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 实现 载流子 寿命 控制 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件中实现载流子寿命控制的结构，其特征在于，包括半导体衬底、绝缘介质层和半导体外延层；所述绝缘介质层位于所述半导体衬底和所述半导体外延层之间，且所述绝缘介质层由多个岛状绝缘介质块组成，且所述岛状绝缘介质块的直径小于3μm；在所述半导体外延层与所述绝缘介质层的交界面处具有因晶格不匹配而形成的缺陷。
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