[发明专利]一种高精度陶瓷球制备方法无效
申请号: | 201310321178.1 | 申请日: | 2013-07-27 |
公开(公告)号: | CN103387394A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 徐辉 | 申请(专利权)人: | 上海高越精密陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/645 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 吕伴 |
地址: | 201412 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开的一种高精度陶瓷球制备方法,采用烧结、粗磨、精磨、初研、精研步骤制备而成,其烧结步骤是以Si3N4为主要原料,以Y2O3、Al2O3、La2O3、CeO2的混合物为混合添加剂,将Si3N4与混合添加剂混合均匀,干燥完全后干压成型为陶瓷球坯体,再将陶瓷球坯体在200MPa压力下冷等静压进一步密实,成型后的陶瓷球坯体埋入玻璃粉料中,使用氮气作为加压介质,利用各向均等的静压力压制,形成烧结好的陶瓷球球坯。本发明的优点在于;将氮化硅采用热等静压烧结成型,使用氮气作为加压介质,集热压和等静压的优点于一身。具有硬度高、耐磨损、耐高温、耐腐蚀等特点。 | ||
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【主权项】:
一种高精度陶瓷球制备方法,选用氮化硅材料,采用烧结、粗磨、精磨、初研、精研步骤制备而成,其特征在于:所述烧结步骤是以Si3N4为主要原料,以Y2O3、Al2O3、La2O3、CeO2的混合物为混合添加剂,Si3N4与混合添加剂的质量比为100∶4,其中Si3N4粉中Si3N4含量≥95%,中位粒径D50≤1μm,氧含量≤2%,添加剂中Y2O3的含量质量百分比为50%、Al2O3的含量质量百分比为20%、La2O3的含量质量百分比为20%、CeO2的含量质量百分比为10%;将Si3N4与混合添加剂混合均匀后,干燥完全后在2MPa压力下干压成型为陶瓷球坯体,再将陶瓷球坯体在200MPa压力下冷等静压进一步密实,成型后的陶瓷球坯体埋入组成为SiO272%、B2O313%、Al2O35%、Na2O49%、K2O0.8%、CaO0.2%的玻璃粉料中,于压力120~125MPa、温度为1750℃~1850℃的温度下使用氮气作为加压介质,利用各向均等的静压力压制5~6分钟后,形成烧结好的陶瓷球球坯;所述粗磨步骤是采用硬度大于230HB的铸铁磨球板,开始选用粒度为80#的碳化硅,当该工序加工尺寸剩余0.15mm时换用W40碳化硅,磨剂为普通研磨液和水,配比为1∶1,FM型‑1型复合研磨液,让烧结好的陶瓷球球坯在铸铁磨球板之间进行粗磨,粗磨时磨球盘转速为48~170r/min,铸铁磨球板加载的压力为2~3MPa,粗磨后,陶瓷球表面粗糙度Ra小于1.6μm,球形误差小于1μm;所述精磨步骤是采用硬度为210~240HB的铸铁磨球板,磨料选用W40碳化硅,磨剂选用金刚石研磨液,让粗磨好的陶瓷球在铸铁磨球板之间进行精磨,精磨时磨球盘转速为48~120r/min,铸铁磨球板加载的压力为2~3MPa,粗磨后,陶瓷球表面粗糙度Ra小于0.4μm,球形误差小于1μm;所述粗研步骤是采用硬度为190~220HB的铸铁研磨板,磨料W40碳化硅,磨剂选用金刚石研磨液,让精磨好的陶瓷球在铸铁研磨板之间进行粗研,粗研时研磨盘转速为20~60r/min,铸铁研磨板加载的压力为1~2.5MPa,粗研后,陶瓷球表面粗糙度Ra小于0.08μm,球形误差小于0.25μm;所述精研步骤是采用硬度为190~220HB的铸铁研磨板,磨料W40碳化硅,磨剂选用金刚石研磨液,让粗研好的陶瓷球在铸铁研磨板之间进行粗研,粗 研时研磨盘转速为15~30r/min,铸铁研磨板加载的压力为1~2.5MPa,粗研后,陶瓷球的表面质量和精度达到G10或G5级标准。
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