[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括在同一衬底上的光子调制器和场效应晶体管。该光子调制器包括调制器半导体结构和采用与场效应晶体管的栅极电极相同的半导体材料的半导体接触结构。所述调制器半导体结构包括横向p-n结，且所述半导体接触结构包括另一横向p-n结。为了形成该半导体结构，可以在半导体衬底中构图波导形状的调制器半导体结构和场效应晶体管的有源区。栅极电介质层形成在所述调制器半导体结构和所述有源区上，并且随后从所述调制器半导体结构上去除。沉积、用图形构图并掺杂半导体材料层以形成用于场效应晶体管的栅极电极和用于波导的半导体接触结构。

主权项

一种包括半导体衬底上的光子调制器半导体结构，所述光子调制器包括：调制器半导体结构，其位于所述半导体衬底内、具有均匀的宽度和均匀的厚度、具有与至少一种电介质材料接触的侧壁和底表面、并且具有位于所述调制器半导体结构的p掺杂调制器半导体部分与所述调制器半导体结构的n掺杂调制器半导体部分之间的第一横向p‑n结；以及半导体接触结构，位于所述半导体衬底上并且具有在所述半导体接触结构中的p掺杂的半导体接触部分与所述半导体接触结构中的n掺杂的半导体接触部分之间的第二横向p‑n结，其中所述p掺杂的半导体接触部分与所述p掺杂的调制器半导体部分接触，并且所述n掺杂的半导体接触部分与所述n掺杂的调制器半导体部分接触。