[发明专利]一种发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，通过以Mg的均匀掺杂的p型GaN层替代非掺杂的GaN层作为Mg的δ掺杂的p型GaN的最终覆盖层，能够在一定程度上改善p型欧姆接触层质量，提高外量子效率，而且Mg的δ掺杂的P型GaN层和Mg的均匀掺杂的P型GaN层组成的复合型p型GaN欧姆接触层，既可以获得高的空穴浓度从而增加电子空穴的复合发光效率，又可以降低欧姆接触电阻，使得发光二极管的整体电学特性变佳。

主权项

一种发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底（101）、低温AlN成核层（102）、缓冲层（103）、n型AlGaN层（104）、多量子阱有源发光层（106）、p型AlGaN电子阻挡层（107）、p型AlGaN层（108）和复合型p型GaN欧姆接触层（109），所述复合型p型GaN欧姆接触层（109）顶面上设置有p型电极（110），所述n型AlGaN层（104）刻蚀出阶梯状台面，所述阶梯台面的延伸与多量子阱有源发光层（106）的底面连接，所述阶梯台面上设置有n型电极（105）；所述复合型p型GaN欧姆接触层（109）包括Mg的δ掺杂的P型GaN层以及生长在Mg的δ掺杂的P型GaN层顶面上的Mg的均匀掺杂的P型GaN层（1），所述Mg的δ掺杂的P型GaN层由若干个δ掺杂周期结构叠加构成，所述δ掺杂周期结构包括一层GaN层（3）和在GaN上生长的一层Mg的δ掺杂层（2）。