[发明专利]一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310321529.9 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103427020A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 程抱昌;欧阳志勇 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，包括聚合物基底、一维微纳米材料薄膜、金属电极、导线、聚合物封装层；一维微纳米材料薄膜放置在聚合物基底上，其两端焊接金属电极，金属电极焊接导线，聚合物封装层将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底上。制备方法是在模具中加入聚合物基底，室温下固化24h；将一维微纳米材料薄膜置于聚合物基底上，在一维微纳米材料薄膜两端制备电极，放置3-5h；在电极两端焊接铜丝，放置3-5h；将聚合物封装层缓慢的涂覆在一维微纳米材料薄膜及电极上，放置24h。本发明具有良好的柔韧性，器件具有优异的电阻开关性能，制作工艺相对简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 一维微 纳米 材料 薄膜 结构 应力 写入 数据 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，其特征是包括聚合物基底（1）、一维微纳米材料薄膜（2）、金属电极（3）、导线（4）、聚合物封装层（5）；一维微纳米材料薄膜（2）放置在聚合物基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极（3）焊接导线（4），聚合物封装层（5）将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底（1）上；所述的聚合物基底、聚合物封装层的聚合物为聚二甲基硅氧烷；所述的一维微纳米材料薄膜为氧化锌、硫化锌、二氧化锡、三氧化二铟或碳纳米管中的一种；所述的金属电极为银、金或铂；所述的封装层采用聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯作为封装材料。
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