[发明专利]一种p-CuI/n-ZnO透明异质结及其制备方法

摘要

本发明公开了一种p-CuI/n-ZnO透明异质结及其制备方法，其特征在于包括，从上到下依次设置的p-CuI薄膜、n-ZnO纳米柱、n-ZnO薄膜种子层和ITO玻璃（ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。），p-CuI薄膜上方压制有供电压测试用的另一ITO玻璃，所述ITO玻璃与另一ITO玻璃间导线和电源连接构成一电压测试回路。通过对n-ZnO薄膜种子层、n-ZnO纳米柱和p-CuI薄膜进行制备，从而通过上述步骤制备获得p-CuI/n-ZnO透明异质结，严格控制各个环节的参数，确保获得的p-CuI/n-ZnO透明异质结具有良好的电性能。

主权项

一种p‑CuI/n‑ZnO透明异质结，其特征在于包括，从上到下依次设置的p‑CuI薄膜、n‑ZnO纳米柱、n‑ZnO薄膜种子层和ITO玻璃，p‑CuI薄膜上方压制有供电压测试用的另一ITO玻璃，所述ITO玻璃与另一ITO玻璃间导线和电源连接构成一电压测试回路。