[发明专利]制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构的方法无效
| 申请号： | 201310322298.3 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103579108A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | S·弗莱克豪斯基;R·伊尔根 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/784 | 分类号： | H01L21/784;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构的方法，包括提供包括硅及高载子迁移率材料的半导体衬底，于该半导体衬底上形成一个或多个鳍式结构，以及使该衬底接受缩合程序，以缩合该高载子迁移率材料。该缩合程序形成缩合的鳍式结构，该缩合的鳍式结构本质上包括完全的高载子迁移率材料与形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅层。该方法更包含除去形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅，以曝露该缩合的鳍式结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高载子 迁移率 鳍式场效 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有鳍式场效晶体管结构的集成电路的方法，包括：提供包括硅及高载子迁移率材料的半导体衬底；于该半导体衬底上形成一个或多个鳍式结构；使该衬底接受缩合程序，以缩合该高载子迁移率材料，其中，该缩合程序形成缩合的鳍式结构，该缩合的鳍式结构本质上包括完全的高载子迁移率材料与形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅层；以及除去形成于该缩合的鳍式结构上的该氧化硅，以曝露该缩合的鳍式结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
