[发明专利]光CVD膜的制造方法及光CVD膜的制造装置无效
申请号: | 201310323455.2 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN103572262A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 峰利之;藤森正成;松崎永二 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48;C23C16/34;C23C16/40;H05B33/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种容易进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造方法和制造装置。在光CVD膜的制造方法中,包括:工序(a),向形成光CVD膜的反应室导入光CVD膜的原料气体,使反应室达到规定压力;工序(b),在工序(a)之后,停止原料气体向反应室的导入以及原料气体从反应室的排气,向反应室照射光;以及工序(c),在工序(b)之后,停止照射,然后对反应室进行排气,将工序(a)~工序(c)反复多次。 | ||
搜索关键词: | cvd 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种光CVD膜的制造方法,其特征在于,包括:工序(a),向形成光CVD膜的反应室导入所述光CVD膜的原料气体,使所述反应室达到规定压力;工序(b),在所述工序(a)之后,停止将所述原料气体向所述反应室的导入以及所述原料气体从所述反应室的排气,向所述反应室照射光;和工序(c),在所述工序(b)之后,停止所述照射,然后对所述反应室进行排气,将所述工序(a)~所述工序(c)反复多次。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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