[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310323524.X | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347470B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 柳会雄;刘良;高学;周志美 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体基底，所述半导体基底由衬底、牺牲氧化层以及氮化层依次层叠形成，所述半导体基底上具有浅沟槽隔离结构；对所述半导体基底进行氧化处理，以增加所述浅沟槽隔离结构边缘的所述牺牲氧化层的体积。本发明的半导体器件的制备方法中，对所述半导体基底进行氧化处理可以增加所述浅沟槽隔离结构边缘的所述牺牲氧化层的体积，能够提高半导体衬底的角落部位的尖角圆滑度，从而提高所述浅沟槽隔离器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底由衬底、牺牲氧化层以及氮化层依次层叠形成，所述半导体基底上具有浅沟槽隔离结构；对所述半导体基底进行氧化处理，氧化性气体沿着所述氮化层与所述浅沟槽隔离结构的界面进入到所述牺牲氧化层的表面，以增加所述浅沟槽隔离结构边缘的所述牺牲氧化层的体积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
