[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201310323531.X | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347471A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 范建国;沈建飞;季峰强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法先提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有浅沟槽，之后，对所述浅沟槽的底部进行离子注入，最后，在所述浅沟槽的底部与侧壁形成一内衬氧化物层。本发明的半导体器件的制备方法，对所述浅沟槽的底部进行离子注入，可以在所述浅沟槽的底部形成一掺杂区，所述掺杂区的所述内衬氧化物层的生长速度大于所述浅沟槽的侧壁上所述内衬氧化物层的生长速度，使得最终形成的所述内衬氧化物层中，所述内衬氧化物层的底部厚度得到明显提高，进而增加了浅沟槽隔离中内衬氧化物的底部厚度和侧壁厚度的均一性，防止浅沟槽隔离漏电，从而提高所述浅沟槽隔离器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有浅沟槽；对所述浅沟槽的底部进行离子注入；在所述浅沟槽的底部与侧壁形成一内衬氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
