[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置无效
| 申请号： | 201310323696.7 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681398A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 辻井浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置，该实施方式的半导体器件的制造方法包括：在第一面上形成了多个半导体器件的半导体衬底的与上述第一面相对的第二面上，粘贴形成有贯通孔的第二支撑衬底，以使得上述贯通孔与上述半导体器件相重叠的工序；以及使电气特性检查装置的探头接触于上述半导体器件的上述第一面上设置的表面电极和从上述贯通孔露出的上述半导体器件的背面电极，测定上述半导体器件的电气特性的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 支撑 衬底 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在第一面上形成了多个半导体器件的半导体衬底的与上述第一面相对的第二面上，粘贴形成有贯通孔的第二支撑衬底，以使得上述贯通孔与上述半导体器件相重叠的工序；以及 使电气特性检查装置的探头接触于上述半导体器件的上述第一面上设置的表面电极、和从上述贯通孔露出的上述半导体器件的背面电极，测定上述半导体器件的电气特性的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
