[发明专利]一种应力沟道PMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310323926.X | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347705B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应力沟道PMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括步骤1）提供一硅衬底，于所述硅衬底中形成沟槽结构；2）于所述沟槽结构内形成包括Si1‑xCx层、Si1‑yCy层及SiGe沟道层的叠层结构，其中，x的取值范围为0.001~0.3，y的取值范围为0.01~0.5，且x<y；3）于所述SiGe沟道层表面形成栅极结构；4）刻蚀所述栅极结构两侧下方的叠层结构，形成填充槽；5）于所述填充槽内形成SiGe填充层。本发明通过增加了Si1‑xCx层、Si1‑yCy层作为SiGe沟道层的缓冲层，可以有效增大SiGe沟道层的应力，从而提高器件的性能。本发明方案简单，与传统CMOS工艺兼容，容易实现产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 沟道 pmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种应力沟道PMOS器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底中形成沟槽结构；2）于所述沟槽结构内形成包括Si1‑xCx层、Si1‑yCy层及SiGe沟道层的叠层结构，其中，x的取值范围为0.001～0.3，y的取值范围为0.01～0.5，且x<y；3）于所述SiGe沟道层表面形成栅极结构；4）刻蚀所述栅极结构两侧下方的叠层结构，形成填充槽；5）于所述填充槽内形成SiGe填充层。
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