[发明专利]磁性随机存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310323978.7 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347797B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性随机存储器及其制造方法，其中，所述磁性随机存储器的制造方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有接触孔；对所述接触孔执行金属填充；在金属填充后的半导体衬底的表面形成导电层；刻蚀所述导电层形成导线；在形成导线后的半导体衬底的表面形成MTJ层；刻蚀所述MTJ层形成MTJ存储单元。本发明磁性随机存储器的制造方法中，在金属填充后的半导体衬底的表面增加了一层非常平整的导电层，MTJ层沉积在所述导电层的表面，使得刻蚀形成的MTJ存储单元不会出现Mx波纹。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有接触孔；对所述接触孔执行金属填充；在金属填充后的半导体衬底的表面形成导电层；刻蚀所述导电层形成导线；在形成导线后的半导体衬底的表面形成BEC层，在所述BEC层上形成MTJ层，其中，所述BEC层的平整度在10埃以下；刻蚀所述MTJ层形成MTJ存储单元；其中，所述导线的宽度大于所述接触孔的宽度，能够完全覆盖所述接触孔，所述MTJ存储单元位于所述导线之上，与所述接触孔错开。
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