[发明专利]碳化硅器件中的降低的偏压温度不稳定性的半导体器件和方法在审
| 申请号： | 201310324987.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103579302A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | J.D.迈克尔;S.D.阿瑟 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及碳化硅器件中的降低的偏压温度不稳定性的半导体器件和方法。一种系统包括碳化硅(SiC)半导体器件以及包封SiC半导体器件的气密密封封装。气密密封封装配置成保持SiC半导体器件附近的特定气氛。此外，特定气氛将操作期间的SiC半导体器件的阈值电压的偏移限制到小于1 V。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 中的 降低 偏压 温度 不稳定性 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低偏压温度不稳定性的系统，包括：碳化硅SiC半导体器件；以及包封所述SiC半导体器件的气密密封封装，其中所述气密密封封装配置成保持所述SiC半导体器件附近的特定气氛，在操作期间所述特定气氛将所述SiC半导体器件的阈值电压的偏移限制到小于1V，其中所述阈值电压是在给定源-漏电流下栅电压与源电压的差。
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