[发明专利]一种改善栅氧击穿时漏电偏大的方法在审
| 申请号： | 201310325268.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347367A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 芮强;张硕;邓小社;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;张莉 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺处理步骤：栅控器件的产品工艺完成后，利用紫外光对器件进行照射，然后再进行产品测试。采用了本发明所述技术方案，在常规的半导体工艺完成后，对器件进行紫外光照射，就可以尽可能消除栅源中的电荷和热载流子，这样就可以很大程度上改善栅氧漏电的问题。更为重要的是，由于紫外光照射并不会带来温度过高的问题，因此不会导致背面金属发黄，不会影响背面金属的质量，因此有利于后道工序的处理。同时，本发明所述技术方案操作简单，易于实施，并且实施成本较低，不会影响产品其他性能，便于大规模推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 击穿 漏电 方法 | ||
【主权项】：
一种改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺处理步骤：栅控器件的产品工艺完成后，利用紫外光对器件进行照射，紫外光照射条件为温度为20摄氏度～150摄氏度，时间为1min～60min，紫外光波长为190nm～400nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310325268.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
