[发明专利]三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜及其制备方法和应用，包括：将可溶性铁盐、硫酸钠和水混合，得到前驱体溶液；将洁净的基底放入反应釜中，并将前驱体溶液加入到反应釜中，于110～160℃反应4～24h，再于400～500℃热处理1～5h，得到生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底；将硫酸镍、过二硫酸钾、氨以及水混合，将生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底放入氧化镍反应液中反应，反应后于300～400℃热处理1～3h即得。本发明方法制造成本较低，易于实现工业化，薄膜具有在基底上生长的核壳纳米棒阵列形貌，制备的锂离子电池负极具有高的放电容量、稳定的循环性能和优异的倍率性能等优点。

主权项

一种三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将可溶性铁盐、硫酸钠和水混合，得到前驱体溶液；2）将洁净的基底放入反应釜中，并将步骤1）中的前驱体溶液加入到反应釜中，于110℃～160℃反应4h～24h，再在保护气体的保护下于400℃～500℃热处理1h～5h，得到生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底；3）将硫酸镍、过二硫酸钾、氨以及水混合，得到氧化镍反应液，将步骤2）中的生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底放入氧化镍反应液中反应，反应后在保护气体的保护下于300℃～400℃热处理1h～3h，得到三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜。