[发明专利]杂质扩散方法在审
申请号: | 201310325943.7 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN103578939A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 高桥和也;古泽纯和;冈田充弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种杂质扩散方法,该方法是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法,其具备:将前述被处理基板及前述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序;将载置有前述被处理基板及前述虚设的被处理基板的前述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序;以及,在收纳有前述基板载置夹具的前述处理室内,使杂质相对于前述被处理基板的前述被扩散部位进行气相扩散的工序,在前述气相扩散工序中,前述要进行气相扩散的杂质是硼时,使用前述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为前述虚设的被处理基板。 | ||
搜索关键词: | 杂质 扩散 方法 | ||
【主权项】:
一种杂质扩散方法,其是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法,其具备:将所述被处理基板及所述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序;将载置有所述被处理基板及所述虚设的被处理基板的所述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序;以及在收纳有所述基板载置夹具的所述处理室内,使杂质相对于所述被处理基板的所述被扩散部位进行气相扩散的工序,在所述气相扩散工序中,所述要进行气相扩散的杂质是硼时,使用所述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为所述虚设的被处理基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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