[发明专利]一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构在审
| 申请号： | 201310326155.X | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347582A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;何志;陈琛;盛况;崔京京 | 申请（专利权）人： | 浙江大学苏州工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件，通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连，所得到的DBC基板再与外部封装相连，可以使得该半导体装置在承受反偏高压时，DBC板承担大部分耐压，器件纵向耐压获得增强。通过优化横向尺寸及结构可以大幅度提高半导体器件的综合耐压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 器件 纵向 耐压 能力 半导体 装置 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构，其特征在于：III‑V族半导体材料制备的半导体装置；绝缘的DBC基板；所述的半导体装置安装在所述的DBC基板上；所得到的基板通过引线连接到外部封装基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学苏州工业技术研究院，未经浙江大学苏州工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310326155.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
