[发明专利]低噪声放大器和芯片有效
| 申请号： | 201310326713.2 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104348430A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陶晶晶;张旭;刘瑞金 | 申请（专利权）人： | 上海海尔集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 200235 上海市徐汇区龙*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低噪声放大器和芯片。放大器包括偏置电路单元、第一放大电路单元、第一调整单元、第一信号输入端、第二信号输入端和第一信号输出端；偏置电路单元包括第一电压输出端和第二电压输出端；第一放大电路单元包括：第一N型晶体管和第一P型晶体管、第一输出电容、第二输出电容、第一阻抗和第二阻抗；第一N型晶体管和第一P型晶体管的栅极分别通过调整单元与第一电压输出端以及第一信号输入端连接，与第二电压输出端以及第一信号输入端连接；第一N型晶体管源极与第一P型晶体管源极和第二信号输入端连接；第一N型晶体管和第一P型晶体管的漏极分别连接阻抗，并通过输出电容连接至第一信号输出端和第二信号输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 芯片 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器，其特征在于，包括：偏置电路单元、第一放大电路单元、第一调整单元、第一信号输入端、第二信号输入端和第一信号输出端，其中，所述偏置电路单元用于为所述第一放大电路单元提供偏置电压，所述偏置电路单元包括第一电压输出端和第二电压输出端；所述第一放大电路单元包括：第一N型晶体管和第一P型晶体管、第一输出电容、第二输出电容、第一阻抗和第二阻抗；所述第一N型晶体管的栅极通过调整单元与所述偏置电路单元的第一电压输出端连接，并通过所述第一调整单元与所述第一信号输入端连接，所述第一P型晶体管的栅极通过所述第一调整单元与所述偏置电路单元的第二电压输出端连接，并通过所述第一调整单元与所述第一信号输入端连接；所述第一N型晶体管的源极与所述第一P型晶体管的源极连接，并且均与所述第二信号输入端连接；所述第一N型晶体管的漏极与所述第一阻抗连接，并通过所述第一输出电容连接至所述第一信号输出端，所述第一P型晶体管的漏极与所述第二阻抗连接，并通过所述第二输出电容连接至所述第一信号输出端；所述偏置电路单元连接在工作电压的高压端与低压端之间，所述第一放大电路单元中的第一阻抗与所述工作电压的高压端连接，所述第一放大电路单元中的第二阻抗与所述工作电压的低压端连接。
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