[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310327029.6 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347407B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中在制造半导体装置的方法中，提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、以及形成在衬底表面上的鳍片式势垒层，在所述鳍片式势垒层的表面上形成量子阱材料层，以及在量子阱材料层上形成势垒材料层，其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气。从而能够实现在改进短沟道效应的同时，保证了半导体装置的高迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、以及形成在衬底表面上的鳍片式势垒层；在所述鳍片式势垒层的表面上形成量子阱材料层；以及在量子阱材料层上形成势垒材料层；其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气；其中，提供衬底结构的步骤包括：在基底层的表面上形成第一缓冲层，在第一缓冲层的表面上形成第二缓冲层，在第二缓冲层的表面上形成势垒层；对势垒层进行图案化，以形成所述鳍片式势垒层；其中第一缓冲层的材料为SiGe或GaAs，第二缓冲层的材料为AlAs。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
