[发明专利]基于调制掺杂的GaN肖特基二极管有效
| 申请号： | 201310328121.4 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103400866A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;冯志红;房玉龙;邢东;王俊龙;张立森;杨大宝 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN层；N-型GaN层的掺杂浓度从N+型GaN层的界面处开始非均匀分布；在N+型GaN层上生长欧姆接触电极；在N-型GaN层上生长有肖特基接触电极。本发明利用调制掺杂方式在N+型GaN层上生长N-型GaN层，提高了GaN材料的迁移率，改善了材料中电子浓度分布，减小了二极管的肖特基结电容，提高了其工作频率，进而提高了毫米波和太赫兹范围内倍频电路的工作频率和输出功率；通过控制调制掺杂可以有效控制肖特基二极管的变容比，提高器件的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 调制 掺杂 gan 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层（101）、在所述衬底层（101）上生长的高掺杂的N+型GaN层（102），以及在所述N+型GaN层（102）上采用调制掺杂生长的N‑型GaN层（103），N‑型GaN层（103）的掺杂浓度从N+型GaN层（102）的界面处开始为非均匀分布；在所述的N+型GaN层（102）上生长欧姆接触电极（104）；在所述的N‑型GaN层（103）上生长有肖特基接触电极（105）。
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