[发明专利]光学半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310328802.0 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579903A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 早川明宪;松本武 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金鹏;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光学半导体器件及其制造方法。该光学半导体器件包括：半导体衬底；下部覆层，形成在半导体衬底上方；量子阱有源层，形成在下部覆层上；衍射光栅层，形成在量子阱有源层上方且在其表面中形成有衍射光栅；以及上部覆层，形成在衍射光栅层的衍射光栅上。另外，量子阱有源层的相邻于光学半导体器件的外端面的外部区域中的带隙大于量子阱有源层的位于外部区域之间的内部区域中的带隙，以及包括下部覆层且布置在半导体衬底与量子阱有源层之间的一个或多个层的厚度大于或等于2.3μm。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光学半导体器件，包括：半导体衬底；下部覆层，形成在所述半导体衬底上方且由半导体材料形成；量子阱有源层，形成在所述下部覆层上且由半导体材料形成；衍射光栅层，形成在所述量子阱有源层上方且由半导体材料形成，所述衍射光栅层具有形成在其表面中的衍射光栅；以及上部覆层，形成在所述衍射光栅层的衍射光栅上，其中，所述量子阱有源层的相邻于所述光学半导体器件的外端面的外部区域中的带隙大于所述量子阱有源层的位于所述外部区域之间的内部区域中的带隙，以及其中，包括所述下部覆层且布置在所述半导体衬底与所述量子阱有源层之间的一个或多个层的厚度大于或等于2.3μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310328802.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
