[发明专利]功率半导体装置有效
申请号: | 201310329025.1 | 申请日: | 2011-06-01 |
公开(公告)号: | CN103400832B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 菊池正雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/552;H01L23/433 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供能够抑制装置大型化并且抑制电感增大的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具备功率半导体元件(4);作为第1金属块的金属块(7),该金属块(7)通过选择性地形成于功率半导体元件(4)上表面的作为第1上表面电极图案的上表面电极图案(100)与功率半导体元件(4)连接;以及覆盖着功率半导体元件(4)与金属块(7)而充填的模树脂(9),金属块(7)其上表面从模树脂(9)表面露出。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种功率半导体装置,其特征在于,具备:功率半导体元件;第1金属引线,一端侧连接于所述功率半导体元件,另一端侧向所述功率半导体元件的上方引出;注塑树脂,覆盖着所述功率半导体元件与所述第1金属引线的所述一端侧而充填,在所述功率半导体元件的上方形成凹部;以及第1金属块,收容于所述凹部,所述第1金属引线的所述另一端侧折曲着与所述第1金属块上表面连接,所述功率半导体装置还具备:第2金属块,上表面的一部分通过形成于所述功率半导体元件下表面的下表面电极图案与所述功率半导体元件连接,并且被所述注塑树脂所覆盖;以及第3金属块,在所述第2金属块的上方,形成于设置在所述注塑树脂的凹部,第3金属块的上表面通过第2金属引线与所述第2金属块的所述上表面的另一部分连接,所述第2金属引线与所述第3金属块的上表面连接的一端侧的端部从所述注塑树脂表面露出,另一端侧被所述注塑树脂覆盖,所述功率半导体装置还具备:配线基板,该配线基板在所述第1、第3金属块的上方,配设于所述注塑树脂上,与所述第1、第3金属块连接,所述功率半导体装置还具备:第2上表面电极图案,形成于所述功率半导体元件上表面;以及金属线,由支持构件支持着、与所述第2上表面电极图案连接,所述支持构件固定于所述第2金属块,所述配线基板与所述金属线连接。
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