[发明专利]半导体晶体衬底、半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310329130.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103715081A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 苫米地秀一;小谷淳二;中村哲一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶体衬底和半导体装置及其制造方法。制造半导体晶体衬底的方法包括通过将包含氮组分的气体供给到由包含硅材料形成的衬底并使衬底的表面氮化来形成氮化物层；以及通过供给包含氮组分的气体和包含Al的源气体而在氮化物层上形成AlN层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体 衬底 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体晶体衬底的方法，所述方法包括：通过将包含氮组分的气体供给到由包含硅的材料形成的衬底并由此使所述衬底的表面氮化来形成氮化物层；以及通过供给所述包含氮组分的气体和包含Al的源气体而在所述氮化物层上形成AlN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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