[发明专利]封装的半导体器件、封装半导体器件的方法以及PoP器件在审

专利信息
申请号: 201310329154.0 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN104051383A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 蔡柏豪;洪瑞斌;林俊成 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/16;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 公开了封装的半导体器件、封装半导体器件的方法以及叠层封装(PoP)器件。在一些实施例中,一种封装半导体器件的方法包括在载具上方形成封装通孔(TPV),以及将半导体器件连接至载具。半导体器件包括设置在其表面上的接触焊盘以及设置在接触焊盘上方的绝缘材料。在载具上方且在TPV和半导体器件之间形成模塑材料。使用激光钻孔工艺在绝缘材料中且在接触焊盘上方形成开口,以及在绝缘材料和绝缘材料中的开口的上方形成再分布层(RDL)。将RDL的一部分连接至每个接触焊盘的顶面。
搜索关键词: 封装 半导体器件 方法 以及 pop 器件
【主权项】:
一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:在载具上方形成多个封装通孔(TPV);将半导体器件连接至所述载具,所述半导体器件包括设置在其表面上的多个接触焊盘以及设置在所述多个接触焊盘上方的绝缘材料;在所述载具上方且在所述多个TPV和所述半导体器件之间形成模塑材料;使用激光钻孔工艺在所述绝缘材料中形成多个开口,所述多个开口中的每个开口均被设置在所述多个接触焊盘中的一个接触焊盘的上方;以及在所述绝缘材料以及所述绝缘材料中的所述多个开口的上方形成再分布层(RDL),其中所述RDL的一部分连接至所述多个接触焊盘中的每个接触焊盘的顶面。
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