[发明专利]一种金线莲种苗的工厂化生产方法

摘要

本发明公开了一种金线莲种苗的工厂化生产方法。本发明包括如下步骤：（1）选择植株完整, 生长粗壮, 形态特征优良的金线莲植株为外植体，对其进行消毒处理，进行组织培养；（2）增殖培养，然后转接入继代培养基进行分化培养；（3）进行二代增殖；（4）壮苗生根培养；（5）炼苗。与现有技术相比，本发明的快繁系数比原来传统丛芽诱导方式的快繁系数提高了3-4倍，能大大降低工厂化生产的成本。

主权项

一种金线莲种苗的工厂化生产方法，其特征在于，包括如下技术步骤：（1）每年春季选择植株完整, 生长粗壮, 形态特征优良的金线莲植株为外植体，对其进行消毒处理，进行组织培养，培养条件为室温25士1℃，湿度60～80%，光照强度1000luX下，每天光照6小时进行培养，培养基为MS+TDZ 0.4mg/L+NAA 0.2mg/L；（2）经过约30天的萌发，转到MS+S‑3307 1.0mg/L+ 6‑BA 2.0mg/L+ NAA 0.6mg/L+20%土豆泥的原球茎增殖培养基上进行增殖；增殖培养后，培养基养分也已被大量消耗；此时，应转接入继代培养基进行分化培养，培养条件为室温25士2℃，湿度60～80%，光照强度1000lux，每天光照时间8小时，培养基为MS+TDZ 0.2mg/L+ S‑3307 1.5mg/L+ NAA1.5mg/L； （3）在原球茎增殖培养过程中，如果原球茎增殖速度比较快，长势比较好时，可进行二代增殖，培养条件与原来相同；（4）经过90天的分化培养后，可见原球茎己分化成无根幼苗；幼苗高度在18～28mm之间，并己长有4～5片小叶片，第二节茎粗在1.1～1.6mm之间；但此时幼苗各器官均比较娇嫩，因此，幼苗应转接入壮苗培养基进行壮苗生根培养；培养条件为室温25士1℃，湿度60～80%，光照强度5001ux，每天光照时间 10～12小时，并需有缓冲操作；使用的壮苗培养基为MS+NAA0.2+ 20%土豆泥；（5）经过壮苗培养60天，幼苗发育成叶片较浓绿、茎较强壮的小苗，其高度在40～55mm之间，叶片5～7片，第三节茎粗达2.8～3.6mm；组培室生产的种苗依然比较脆弱，抗病抗晒能力比较差，如果直接进行移栽，种苗很难存活；因而在移栽前必须进行炼苗；（6）经过炼苗后，种苗的根进一步强壮，茎杆、叶片颜色进一步加深；叶片厚实，杆体粗壮，种苗抗病抗晒能力得到了加强；此时方可进行种苗的移栽。