[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构以及形成该结构的方法。根据一个实施例，一种结构包括分别位于衬底的三个区内的三种器件。第一器件包括第一栅叠层，并且第一栅叠层包括第一介电层。第二器件包括第二栅叠层，并且第二栅叠层包括第二介电层。第三器件包括第三栅叠层，并且第三器件包括第三介电层。第三介电层的厚度小于第二介电层的厚度，并且第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。第三栅叠层的栅极长度在量上与第一栅叠层的栅极长度和第二栅叠层的栅极长度不同。

主权项

一种结构，包括：第一器件，包括第一栅叠层，所述第一器件位于衬底的第一区中，所述第一栅叠层包括第一介电层；第二器件，包括第二栅叠层，所述第二器件位于所述衬底的第二区中，所述第二栅叠层包括第二介电层，所述第二介电层的厚度小于所述第一介电层的厚度；以及第三器件，包括第三栅叠层，所述第三器件位于所述衬底的第三区中，所述第三栅叠层包括第三介电层，所述第三介电层的厚度小于所述第二介电层的厚度，所述第三栅叠层的栅极长度不同于所述第一栅叠层的栅极长度和所述第二栅叠层的栅极长度。