[发明专利]钼靶材的制作方法有效
申请号: | 201310331636.X | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN104342619B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B22F3/14;B22F3/18;B22F3/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种钼靶材的制作方法,包括先通过热压烧结工艺实现钼粉末的致密化处理,得到第一钼靶材坯料,之后再通过多阶段的热轧处理工艺逐步实现第一钼靶材坯料进一步致密化处理,从而获得钼颗粒晶粒小于50μm,致密度高达99.94%的钼靶材。相对于现有的钼靶材制作方法获得的钼靶材,本发明获得的钼靶材的钼晶粒粒度更小、晶粒大小更均匀,致密度更高,具有更好的电学性能和机械加工性能,完全满足钼靶材溅射要求。 | ||
搜索关键词: | 钼靶材 制作方法 | ||
【主权项】:
一种钼靶材的制作方法,其特征在于,包括:提供钼粉末;采用热压烧结工艺对钼粉末进行致密化处理,形成第一钼靶材坯料;对所述第一钼靶材坯料进行热轧处理,形成第二钼靶材坯料;热轧处理后,对所述第二钼靶材坯料进行退火处理形成钼靶材;所述热轧处理过程包括,将所述第一钼靶材坯料加热至1200~1500℃,之后进行轧制处理;所述轧制处理包括三个阶段轧制处理,步骤如下:对所述第一钼靶材坯料进行第一阶段轧制,使所述第一钼靶材坯料的形变量为40%~60%;对经过第一阶段轧制后的第一钼靶材坯料进行第二阶段轧制,使经过第一阶段轧制后的第一钼靶材坯料的形变量为40%~60%;第二阶段后,对经过第二阶段轧制后的第一钼靶材坯料进行第三阶段轧制,获得第二钼靶材坯料;采用热压烧结工艺对钼粉末包括:将钼粉末置于模具中;将所述模具放入热压烧结炉中后,将所述热压烧结炉抽真空;调节所述热压烧结炉温度至1200~1500℃,压强大于20MPa,并保温保压2~5h。
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